目前，英特爾90納米工藝奔4處理器已經批量進入市場，這也標志著處理器跨入“100納米至0.1納米”的納米時代。
    5月30日，Intel Research科技分析師羅布·威洛納表示，英特爾研發人員正考慮在未來芯片制造過程中使用碳納米管技術。到2014年，芯片中的晶體管有可能是由碳納米管或硅納米電線所構成；到2020年，芯片制造技術有望實現全面的技術革新。

碳納米管的技術變革

    英特爾考慮使用碳納米管技術，并非空穴來風。據芯片技術專家介紹，碳納米管能實現未來芯片中的諸多功能。如某些類型的碳納米管可以用在晶體管中取代硅，其他類型的碳納米管能夠取代連接晶體管的銅線。一般情況下，碳無法完成硅等半導體材料的功能，但經過納米技術處理后，碳就能夠取代硅。不僅如此，碳納米管技術還可以用于解決計算機散熱問題。

    此前，英特爾已為此秘密制定了一項有關碳納米管的研發項目，以期利用碳納米管或其他納米結構，制造出體積更小的晶體管。據悉，英特爾的這個項目由10位研發人員負責，他們將對納米管技術進行評估。英特爾的發言人稱，目前該研究項目仍處于非常基礎的探索階段，且面臨著諸多基礎性挑戰。

    目前，英特爾、IBM及其他廠家都加大了對納米技術的研發力度。分析人士認為，盡管各大芯片制造商仍將繼續使用基于硅材料的制造工藝，但今后有可能采用硅—碳混合性制造技術來增強硅芯片性能。

納米芯片涌動市場

    芯片自誕生以來，就以不斷縮小工藝尺寸、不斷擴大硅晶圓尺寸來提高集成的晶體管數量，從而提升芯片的性能。這也是各廠商謀求市場優勢的重要手段。

    今年2月，英特爾公司推出了4款用90納米工藝批量生產的新型奔騰4處理器（先前代號為Prescott）。有消息稱，6月英特爾將推出首款90納米賽揚處理器。而這也標志著處理器已經跨入了“100納米至0.1納米”尺度范圍內的納米時代。

    目前，英特爾和德州儀器等芯片制造商除了在90納米處理器或內存、閃存芯片上先后出貨外，均已經開始獨立或者聯合研發65納米乃至更小尺寸的制造工藝，并把大規模生產65納米芯片的日期定在了2005年。

    據半導體行業協會（SIA）預測，在四到五代芯片發展之后，大概在2011年前后，今天的制造技術可能將不再能夠發現先進的技術。另據《福布斯》預測，在未來的10年中，整個芯片業都將依賴于納米技術。

    2004年，IBM公司與日本東京的Toppan印刷公司合作，準備建造一條生產45納米處理器的生產線，該生產線將于2007年投產。目前資料顯示，該生產線將是世界上最早量產45納米芯片的生產線。

    而最近在北京舉行的英特爾信息技術峰會上，英特爾強調了完成22納米工藝的時間表：2007年45納米工藝，2009年32納米工藝，2011年22納米工藝。

差距越拉越大？

    從90納米到65納米，從45納米再到22納米，芯片正變得越來越小。但對于全球芯片產業而言，隨著產品年代的發展，芯片生產的難度不斷加大。芯片制造商一直努力提高產品性能，降低產品成本，但這一訴求變得越來越困難。

    臺積電董事長張忠謀曾分析指出，“從0.13微米至90納米的量產，其間可能需要更長時間。”事實也正是如此，分析人士指出，實現這些新工藝的成本越來越高，許多廠商難以承擔。

    同時，對于大部分廠商來說，技術門檻很難一躍而過。在今年2月的國際固態電路會議（ISSCC）上，IBM、英特爾等廠商都表現出了過渡到90納米工藝后對電流泄漏的擔心。英特爾的技術策略總監Paolo Gargini表示：“如果不知道瀑布有多深，大家就會繞道而行；如果水幕只是薄薄一層，大家就會直接穿越它。”但分析人士指出，隨著晶體管間連線寬度的繼續減小，問題將會變得更為嚴重。

    英特爾的研究人員也表示，芯片制造商在縮小晶體管的技術上將遇到瓶頸，7年以后，芯片制造商就會碰到22納米的關卡，難以再往下發展，因為電流的干擾會變得更難回避。

    納米技術要在芯片產業上發揮巨大作用，也就意味著晶體管材料需要進行徹底改變，其中碳納米管以及硅納米線將成為必然選擇。而英特爾由此將再次走到同行的前面。